MOSFET Infineon, canale N 60 V, 7.4 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, A-262, Foro passante IPI80N06S407AKSA2
- Codice RS:
- 214-9066
- Codice costruttore:
- IPI80N06S407AKSA2
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-9066
- Codice costruttore:
- IPI80N06S407AKSA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Tipo di package | A-262 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 79W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 43nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.4mm | |
| Lunghezza | 10.2mm | |
| Altezza | 23.45mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Tipo di package A-262 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 79W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 43nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.4mm | ||
Lunghezza 10.2mm | ||
Altezza 23.45mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
La gamma Infineon di nuovi OptiMOS -T2 offre una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di prodotti OptiMOS -T2 amplia le famiglie esistenti di OptiMOS -T e OptiMOS. I prodotti OptiMOS sono disponibili in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.
Il prodotto è certificato AEC Q101
Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.
Testato al 100% con effetto valanga
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