MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2 mΩ Miglioramento, 195 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
145-9657
Codice costruttore:
IRFB7530PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

195A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-220

Serie

StrongIRFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

274nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

16.51mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET della serie StrongIRFET di Infineon, corrente di scarico continua massima di 195A, dissipazione di potenza massima di 375W - IRFB7530PBF


Questo MOSFET a canale N ad alta corrente è stato progettato per una serie di applicazioni di potenza. La sua struttura avanzata consente una commutazione efficiente e prestazioni notevoli in ambienti difficili, rendendola adatta ai settori dell'automazione e dell'elettronica, dove l'affidabilità e la robustezza sono essenziali per un funzionamento efficace dei circuiti elettrici.

Caratteristiche e vantaggi


• Corrente di drenaggio continua massima di 195A

• Ampio intervallo di temperatura operativa da -55°C a +175°C

• Maggiore durata grazie alla robusta resistenza alle valanghe e alla dinamica dV/dt

• Capacità e SOA a valanga completamente caratterizzati

• Senza piombo e conforme alle norme RoHS per la sicurezza ambientale

Applicazioni


• Utilizzato nell'azionamento di motori a spazzole

• Adatto per topologie a mezzo ponte e a ponte intero

• Adatto per raddrizzatore sincrono

• Ideale per circuiti alimentati a batteria e convertitori CC/CC

• Impegnati in sistemi di inverter CA/CC e CC/CA

Qual è la tensione massima di soglia del gate per questo componente?


La tensione massima di soglia del gate è di 3,7 V, per un funzionamento efficiente in varie configurazioni di pilotaggio del gate.

Questo MOSFET può funzionare in ambienti ad alta temperatura?


Sì, funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, rendendolo adatto alle condizioni più difficili.

Come si comporta questo MOSFET in termini di dissipazione di potenza?


Consente una dissipazione di potenza massima di 375 W, garantendo prestazioni affidabili in condizioni di carico elevato.

È adatto all'uso in applicazioni sia in corrente continua che in corrente alternata?


Questo componente è stato progettato per essere versatile e per fornire prestazioni efficaci in applicazioni di conversione di potenza CC/CC e CA/CC.

Quali sono le implicazioni della sua bassa RDS(on) per la progettazione dei circuiti?


Un basso RDS(on) riduce al minimo le perdite per conduzione, migliorando così l'efficienza complessiva del sistema e consentendo di ridurre i dissipatori di calore e di migliorare le prestazioni termiche dei circuiti.

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