MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 820-8833
Codice costruttore:: IRFB7530PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 820-8833
Codice costruttore:: IRFB7530PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET della serie StrongIRFET di Infineon, corrente di scarico continua massima di 195A, dissipazione di potenza massima di 375W - IRFB7530PBF

Questo MOSFET a canale N ad alta corrente è stato progettato per una serie di applicazioni di potenza. La sua struttura avanzata consente una commutazione efficiente e prestazioni notevoli in ambienti difficili, rendendola adatta ai settori dell'automazione e dell'elettronica, dove l'affidabilità e la robustezza sono essenziali per un funzionamento efficace dei circuiti elettrici.

Caratteristiche e vantaggi

• Corrente di drenaggio continua massima di 195A
• Ampio intervallo di temperatura operativa da -55°C a +175°C
• Maggiore durata grazie alla robusta resistenza alle valanghe e alla dinamica dV/dt
• Capacità e SOA a valanga completamente caratterizzati
• Senza piombo e conforme alle norme RoHS per la sicurezza ambientale

Applicazioni

• Utilizzato nell'azionamento di motori a spazzole
• Adatto per topologie a mezzo ponte e a ponte intero
• Adatto per raddrizzatore sincrono
• Ideale per circuiti alimentati a batteria e convertitori CC/CC
• Impegnati in sistemi di inverter CA/CC e CC/CA

Qual è la tensione massima di soglia del gate per questo componente?

La tensione massima di soglia del gate è di 3,7 V, per un funzionamento efficiente in varie configurazioni di pilotaggio del gate.

Questo MOSFET può funzionare in ambienti ad alta temperatura?

Sì, funziona efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, rendendolo adatto alle condizioni più difficili.

Come si comporta questo MOSFET in termini di dissipazione di potenza?

Consente una dissipazione di potenza massima di 375 W, garantendo prestazioni affidabili in condizioni di carico elevato.

È adatto all'uso in applicazioni sia in corrente continua che in corrente alternata?

Questo componente è stato progettato per essere versatile e per fornire prestazioni efficaci in applicazioni di conversione di potenza CC/CC e CA/CC.

Quali sono le implicazioni della sua bassa RDS(on) per la progettazione dei circuiti?

Un basso RDS(on) riduce al minimo le perdite per conduzione, migliorando così l'efficienza complessiva del sistema e consentendo di ridurre i dissipatori di calore e di migliorare le prestazioni termiche dei circuiti.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	195 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	StrongIRFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	274 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.67mm
Larghezza	4.83mm
Altezza	16.51mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C