MOSFET onsemi, canale N, 126 mΩ, 25 A, TO-247, Su foro

Fairchild offre una nuova generazione di MOSFET a supergiunzione da 600 V - SupreMOS®.
La combinazione di una bassa resistenza RDS(on) e una bassa carica di gate totale comporta un fattore di merito (FOM) inferiore del 40% rispetto ai MOSFET SuperFET™ da 600 V di Fairchild. Inoltre, la famiglia SupreMOS offre una bassa carica di gate per la stessa resistenza RDS(on), garantendo eccellenti prestazioni di commutazione nonché perdite di commutazione e conduzione inferiori del 20%, il che si traduce in una maggiore efficienza.
Queste caratteristiche permettono agli alimentatori di soddisfare la classificazione ENERGY STAR® 80 PLUS Gold per i PC desktop e la classificazione Platinum per i server.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.