MOSFET Nexperia, canale N, 15,6 mΩ, 75 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

FET TrenchMOS a canale N di livello standard. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N di livello standard in contenitore in plastica che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato e qualificato sulla base della norma AEC per l'uso in applicazioni critiche nel settore automobilistico.

Basse perdite di conduzione grazie a una bassa resistenza in stato attivo
Conforme a Q101
Adatto per sorgenti a stadio pilota livello standard
Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 185 °C
Carichi da 12 V
Sistemi per uso automobilistico
Commutazione di potenza per impieghi generali
Motori, lampade e solenoidi