MOSFET Nexperia, canale N, 8,4 mΩ, 191 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:
170-4859
Codice costruttore:
BUK964R2-55B,118
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

191 A

Tensione massima drain source

55 V

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Serie

BUK964R2

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

8,4 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.3V

Tensione di soglia gate minima

0.5V

Dissipazione di potenza massima

300 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

15 V

Lunghezza

10.3mm

Larghezza

11mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

95 nC a 5 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

4.5mm

Standard per uso automobilistico

AEC-Q101

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
PH
Dall’attivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.

Adatto per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale 175 °C nominale Applicazioni MOSFET: gestione servosterzo elettrico, generatore di avviamento integrato, controllo della trasmissione, sistema antibloccaggio (ABS), controllo climatizzazione

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N di livello logico in contenitore in plastica che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato per l'uso in applicazioni critiche del settore automobilistico.

Basse perdite di conduzione grazie a una bassa resistenza in stato attivo
Adatto per sorgenti a stadio pilota livello logico
Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C
Carichie da 12 V e 24 V
Sistemi per uso automobilistico
Commutazione di potenza per impieghi generali
Motori, lampade e solenoidi

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