MOSFET Nexperia, canale N, 6,5 mΩ, 100 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
798-2974P
Codice costruttore:
PSMN4R5-40BS,118
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

100 A

Tensione massima drain source

40 V

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

6,5 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

148 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

10.3mm

Carica gate tipica @ Vgs

42,3 nC a 10 V

Larghezza

11mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

4.5mm

Paese di origine:
PH

MOSFET a canale N, da 40 V a 55 V.



Transistor MOSFET, NXP Semiconductors

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