MOSFET Nexperia, canale N, 6 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 153-2849
- Codice costruttore:
- PSMN3R5-30YL,115
- Costruttore:
- Nexperia
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Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)
0,579 €
(IVA esclusa)
0,706 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,579 € | 868,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 153-2849
- Codice costruttore:
- PSMN3R5-30YL,115
- Costruttore:
- Nexperia
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N da 25 V - 30 V. Ottime prestazioni grazie al know-how tecnologico avanzato. MOSFET facili da usare e operativi nella gamma da 25 a 30 V. Perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione, offrono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area) Serve una tensione nominale diversa? Controllate il nostro enorme portafoglio per conoscere altre opzioni.
MOSFET a canale N di livello logico da 3,5 mΩ, 30 V, in contenitore LFPAK. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N di livello logico in contenitore di plastica che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è progettato e qualificato per l'uso in applicazioni industriali e per le comunicazioni.
Elevata efficienza grazie alle basse perdite di conduzione e commutazione
Adatto per sorgenti a stadio pilota livello logico
Amplificatori di classe D
Convertitori c.c.-c.c.
Controllo motori
Alimentatori server
Adatto per sorgenti a stadio pilota livello logico
Amplificatori di classe D
Convertitori c.c.-c.c.
Controllo motori
Alimentatori server
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 100 A |
| Tensione massima drain source | 30 V |
| Tipo di package | LFPAK, SOT-669 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 4 |
| Resistenza massima drain source | 6 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2.45V |
| Tensione di soglia gate minima | 0.65V |
| Dissipazione di potenza massima | 74 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | 20 V |
| Carica gate tipica @ Vgs | 19 nC a 10 V |
| Lunghezza | 5mm |
| Larghezza | 4.1mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 1.05mm |
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