MOSFET Nexperia, canale N, 6 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

MOSFET a canale N da 25 V - 30 V. Ottime prestazioni grazie al know-how tecnologico avanzato. MOSFET facili da usare e operativi nella gamma da 25 a 30 V. Perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione, offrono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area) Serve una tensione nominale diversa? Controllate il nostro enorme portafoglio per conoscere altre opzioni.

MOSFET a canale N di livello logico da 3,5 mΩ, 30 V, in contenitore LFPAK. Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N di livello logico in contenitore di plastica che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è progettato e qualificato per l'uso in applicazioni industriali e per le comunicazioni.

Elevata efficienza grazie alle basse perdite di conduzione e commutazione
Adatto per sorgenti a stadio pilota livello logico
Amplificatori di classe D
Convertitori c.c.-c.c.
Controllo motori
Alimentatori server