MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 18 mΩ Miglioramento, 59 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF3710ZSTRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
162-3302
Codice costruttore:
IRF3710ZSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

59A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

IRF3710ZS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

18mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

82nC

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Questo MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecnologie di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all’accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questa struttura sono una temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliori valori nominali dell'effetto valanga. Queste caratteristiche si riuniscono per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni.

Avanzata tecnologia di processo

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Valori nominali dinamici dv/dt

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

Senza piombo

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