MOSFET Infineon, canale N, 18 mΩ, 59 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 688-6850
Codice costruttore:: IRF3710ZPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 18 mΩ, 59 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 688-6850
Codice costruttore:: IRF3710ZPBF
Costruttore:: Infineon

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	59 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	18 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	160 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.69mm
Lunghezza	10.54mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	82 nC a 10 V
Altezza	8.77mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 18 mΩ, 59 A, TO-220AB, Su foro

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