MOSFET Texas Instruments, canale N, 7,8 mΩ, 60 A, SON, Montaggio superficiale

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Codice RS:
162-8530
Codice costruttore:
CSD16340Q3
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

60 A

Tensione massima drain source

25 V

Tipo di package

SON

Serie

NexFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

7,8 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.1V

Tensione di soglia gate minima

0.6V

Dissipazione di potenza massima

3 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-8 V, +10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

3.4mm

Lunghezza

3.4mm

Carica gate tipica @ Vgs

6,5 nC a 4,5 V

Materiale del transistor

Si

Altezza

1.1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
MY

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments



Transistor MOSFET, Texas Instruments

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