MOSFET onsemi, canale P, 17 mΩ, 9 A, ECH, Montaggio superficiale

Codice RS:: 162-9318
Codice costruttore:: ECH8310-TL-H
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 17 mΩ, 9 A, ECH, Montaggio superficiale

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità**

837,00 €

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Codice RS:: 162-9318
Codice costruttore:: ECH8310-TL-H
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	9 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	ECH
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	17 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.6V
Dissipazione di potenza massima	1,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	28 nC a 10 V
Lunghezza	2.9mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	2.3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	0.9mm

MOSFET onsemi, canale P, 17 mΩ, 9 A, ECH, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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