2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 39 mΩ, 7 A 30 V, ECH, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
163-2130
Codice costruttore:
ECH8661-TL-H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

ECH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

39mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

0.79V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.8nC

Minima temperatura operativa

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.9mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.3mm

Lunghezza

2.9mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor


NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di controllo basso, basse tensioni di batteria e correnti di carico elevate. Il canale N è dotato di protezione ESD interna e può essere pilotato da segnali logici fino a 1,5 V, mentre il canale P è progettato per essere utilizzato su applicazioni di commutazione del carico. Il canale P è progettato anche con la tecnologia trench di ON semi.

Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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