MOSFET onsemi, canale N, P, 24 mΩ, 39 mΩ, 5,5 A, 7 A, ECH, Montaggio superficiale

Codice RS:: 802-0850
Codice costruttore:: ECH8661-TL-H
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, P, 24 mΩ, 39 mΩ, 5,5 A, 7 A, ECH, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 802-0850
Codice costruttore:: ECH8661-TL-H
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	5,5 A, 7 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	ECH
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	24 mΩ, 39 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.6V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	2.3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.9mm
Carica gate tipica @ Vgs	11,8 nC a 10 V
Altezza	0.9mm

MOSFET onsemi, canale N, P, 24 mΩ, 39 mΩ, 5,5 A, 7 A, ECH, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor

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