2 MOSFET di potenza onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 39 mΩ, 7 A 30 V, ECH, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
802-0850
Codice costruttore:
ECH8661-TL-H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

ECH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

39mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.79V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.8nC

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

2.9mm

Altezza

0.9mm

Larghezza

2.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor


NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di controllo basso, basse tensioni di batteria e correnti di carico elevate. Il canale N è dotato di protezione ESD interna e può essere pilotato da segnali logici fino a 1,5 V, mentre il canale P è progettato per essere utilizzato su applicazioni di commutazione del carico. Il canale P è progettato anche con la tecnologia trench di ON semi.

Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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