MOSFET Microchip, canale P, 15 Ω, 250 mA, TO-92, Su foro
- Codice RS:
- 165-4218
- Codice costruttore:
- VP2106N3-G
- Costruttore:
- Microchip
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| Unità | Per unità | Per Borsa* |
| 1000 + | 0,455 € | 455,00 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 165-4218
- Codice costruttore:
- VP2106N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- PH
Dettagli prodotto
Transistor MOSFET con modalità potenziata a canale P Supertex
La gamma di transistor DMOS FET con modalità potenziata a canale P (normally-off) Supertex di Microchip è ideale per una vasta gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una bassa tensione di soglia, un'elevata tensione di scarica distruttiva, alta impedenza di ingresso, bassa capacità di ingresso e rapida velocità di commutazione.
Transistor MOSFET, Microchip
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | P |
| Corrente massima continuativa di drain | 250 mA |
| Tensione massima drain source | 60 V |
| Tipo di package | TO-92 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 15 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 3.5V |
| Dissipazione di potenza massima | 1 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 4.06mm |
| Lunghezza | 5.08mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Altezza | 5.33mm |
| Tensione diretta del diodo | 2V |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
- Codice RS:
- 165-4218
- Codice costruttore:
- VP2106N3-G
- Costruttore:
- Microchip