MOSFET Infineon, canale N, 8,5 mΩ, 84 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 165-5778
Codice costruttore:: IRF1010EZPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 8,5 mΩ, 84 A, TO-220AB, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

1,172 €

(IVA esclusa)

1,43 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 +	1,172 €	58,60 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-5778
Codice costruttore:: IRF1010EZPBF
Costruttore:: Infineon

IRF1010EZPbF, IRF1010EZSPbF, IRF1010EZLPbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	84 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	8,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	140 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	58 nC a 10 V
Lunghezza	10.67mm
Larghezza	4.83mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	16.51mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 8,5 mΩ, 84 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon

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