MOSFET Infineon, canale N 60 V, 12 mΩ Miglioramento, 84 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF1010EPBF
- Codice RS:
- 178-1449
- Codice costruttore:
- IRF1010EPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 178-1449
- Codice costruttore:
- IRF1010EPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 84A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 12mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 130nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 200W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Larghezza | 4.69mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 84A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 130nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 200W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Larghezza 4.69mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 8.77mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 84 A, dissipazione di potenza massima di 200 W - IRF1010EPBF
Questo MOSFET è progettato per garantire prestazioni elevate in varie applicazioni elettroniche. Le sue caratteristiche di bassa resistenza di accensione e la capacità di sopportare elevate correnti di drenaggio continue ne fanno un componente chiave per gli ingegneri dei sistemi di automazione e gestione dell'alimentazione. Il dispositivo si comporta bene in ambienti difficili, garantendo un funzionamento costante in un'ampia gamma di temperature.
Caratteristiche e vantaggi
• Il basso RDS(on) contribuisce a ridurre al minimo la perdita di potenza alle alte correnti
• L'elevata capacità di corrente di drenaggio continua, fino a 84A, migliora l'efficienza
• Il pacchetto TO-220AB compatto consente un facile montaggio
• Le capacità di commutazione rapida migliorano le prestazioni complessive del circuito
• Completamente classificato per le valanghe per una maggiore protezione del dispositivo
Applicazioni
• Circuiti di alimentazione per una regolazione efficiente della tensione
• Sistemi di controllo del motore per un funzionamento preciso
• Circuiti di pilotaggio per correnti elevate
• Amplificazione del segnale nei dispositivi elettronici
Quali sono i valori di resistenza termica di questo prodotto?
La resistenza termica tra giunzione e involucro è di 0,75°C/W e la resistenza termica tra involucro e dissipatore su una superficie piana e ingrassata è di 0,50°C/W, consentendo un'efficiente dissipazione del calore.
Può operare in sicurezza in ambienti con temperature elevate?
Sì, funziona efficacemente a temperature fino a 175°C, il che lo rende adatto ad applicazioni in cui il calore è un problema.
Che tipo di corrente può gestire ad alte temperature?
A una temperatura di 100 °C, può gestire una corrente di drenaggio continua di 59 A, garantendo un funzionamento affidabile sotto carico.
In che modo la carica del gate influisce sulle sue prestazioni?
Con una carica di gate tipica di 130 nC a 10 V, consente una commutazione rapida e un funzionamento efficiente in applicazioni dinamiche.
MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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