MOSFET automobilistico Infineon, canale Tipo N 55 V, 24.5 mΩ Miglioramento, 30 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
165-5835
Codice costruttore:
IRFR4105ZTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET automobilistico

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

24.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

120W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

Automotive (Q101)

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 30 A, dissipazione di potenza massima di 48 W - IRFR4105ZTRPBF


Questo MOSFET è progettato per garantire un'elevata efficienza e affidabilità in un'ampia gamma di applicazioni elettroniche. È essenziale per la regolazione e la commutazione della tensione e soddisfa le esigenze dei settori dell'automazione, dell'elettronica e dell'elettrotecnica grazie alle sue robuste prestazioni. La bassa resistenza di accensione del dispositivo e la capacità di gestire elevate correnti di drain continue ne consentono l'uso in ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi


• La corrente di drenaggio continua massima di 30A garantisce prestazioni elevate

• Funziona con una tensione massima drain-source di 55V per applicazioni ad alta tensione

• La bassa RDS(on) di 24,5mΩ migliora l'efficienza energetica

• Resiste a fluttuazioni di temperatura fino a +175°C

• La tecnologia Enhancement Mode garantisce un funzionamento affidabile in commutazione

• Il contenitore DPAK TO-252 consente un facile montaggio in superficie

Applicazioni


• Sistemi di gestione dell'alimentazione per un'efficace regolazione della tensione

• Driver motore e convertitori di potenza nell'automazione

• Alimentatori switching e inverter

• Elettronica di consumo che richiede un controllo efficiente dell'alimentazione

Qual è la tensione massima di soglia del gate?


La tensione massima di soglia del gate è di 4 V e consente un controllo ottimale del gate nelle applicazioni di commutazione.

È in grado di gestire le alte temperature?


Sì, questo MOSFET funziona in modo efficiente a temperature comprese tra -55°C e +175°C, adatto ad ambienti difficili.

Questo MOSFET è adatto al montaggio in superficie?


Sì, è disponibile in un pacchetto DPAK TO-252 progettato per una semplice integrazione a montaggio superficiale.

Come si colloca rispetto ad altri MOSFET in termini di dissipazione di potenza?


La capacità massima di dissipazione della potenza è di 48 W, consentendo di gestire efficacemente carichi consistenti.

Quali sono i tipi di applicazioni più compatibili con questo componente?


È particolarmente efficace nelle applicazioni che richiedono un'elevata efficienza, come il controllo dei motori, i convertitori di potenza e i sistemi elettrici di automazione.

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