MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 8 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-6549
Codice costruttore:
STB100N10F7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

STripFET H7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.35 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.4mm

Altezza

4.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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