MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 8 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie STB100N10F7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
792-5697
Codice costruttore:
STB100N10F7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

STripFET H7

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.6mm

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics


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Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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