MOSFET Vishay, canale N, 380 mΩ, 7,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7220
Codice costruttore:: SIHLR120TR-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 380 mΩ, 7,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 165-7220
Codice costruttore:: SIHLR120TR-GE3
Costruttore:: Vishay

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7,7 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	380 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	42 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Carica gate tipica @ Vgs	12 nC a 5 V
Lunghezza	6.73mm
Larghezza	6.22mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.38mm

MOSFET Vishay, canale N, 380 mΩ, 7,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor

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