MOSFET Vishay, canale N, 201 mΩ, 19 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4979
Codice costruttore:
SIHD186N60EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

19 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

201 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

156 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±30 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

6.22mm

Carica gate tipica @ Vgs

21 nC a 10 V

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.25mm

Tensione diretta del diodo

1.2V

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET di potenza serie EF con diodo a corpo veloce.

Tecnologia della serie E di quarta generazione
Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg
Bassa capacità effettiva (Co(er))
APPLICAZIONI
Alimentatori per server e telecomunicazioni
Alimentatori modalità switching (SMPS)
Correzione del fattore di potenza (PFC), alimentatori

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