MOSFET onsemi, canale Tipo P 35 V, 19 mΩ Miglioramento, 55 A, 3 Pin, TO-252, Superficie FDD6637

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
759-9093
Codice costruttore:
FDD6637
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

35V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

19mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-0.8V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

6.22 mm

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor offre soluzioni in grado di risolvere le complesse sfide del mercato automobilistico grazie a una perfetta conoscenza degli standard di qualità, sicurezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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