MOSFET Vishay, canale Tipo P 55 V, 1.5 Ω, 19 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRF9Z34SPBF

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Codice RS:
256-7280
Codice costruttore:
IRF9Z34SPBF
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Dissipazione di potenza massima Pd

88W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

I mosfet di potenza di terza generazione Vishay Semiconductor utilizzano tecniche di lavorazione avanzate per ottenere una resistenza on-state estremamente bassa per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il robusto design del dispositivo per cui i mosfet di potenza sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il D2PAK è un contenitore di potenza per montaggio superficiale in grado di ospitare stampi di dimensioni fino a HEX-4.

Tecnologia di processo avanzata

Montaggio superficiale

Temperatura d'esercizio 175 °C

Commutazione rapida

Canale P

Completamente resistente a valanghe

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