MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 17.5 mΩ Miglioramento, 11 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
165-8214
Codice costruttore:
IRF8707TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 11 A, dissipazione di potenza massima di 2,5 W - IRF8707TRPBF


Questo MOSFET è stato progettato per applicazioni di potenza, migliorando l'efficienza e le prestazioni termiche. La bassa resistenza di accensione e la minima carica di gate riducono significativamente le perdite di conduzione e di commutazione, rendendolo adatto ai convertitori CC-CC ad alta efficienza in diverse applicazioni. Il package SOIC compatto aumenta la versatilità e si integra facilmente in spazi ristretti.

Caratteristiche e vantaggi


• La bassa carica di gate riduce le perdite di commutazione nelle applicazioni

• La corrente di drenaggio continua massima di 11A aumenta le prestazioni

• La tolleranza alle alte temperature, fino a +150°C, garantisce affidabilità

• La bassa Rds(on) aumenta l'efficienza energetica complessiva

• La configurazione a canale N consente progetti flessibili

• La caratterizzazione completa della tensione e della corrente di valanga offre una maggiore sicurezza

Applicazioni


• Controllo dei MOSFET nei convertitori buck sincroni

• Utilizzo in convertitori DC-DC isolati per sistemi di rete

• Soluzioni di gestione dell'alimentazione per i processori dei notebook

• Implementazione nei sistemi di automazione e controllo per migliorare le prestazioni

Qual è l'idoneità per gli ambienti ad alta temperatura?


Il dispositivo funziona efficacemente a temperature fino a +150°C, garantendo l'affidabilità in condizioni di elevato calore tipiche delle applicazioni di potenza.

Come gestisce la dissipazione di energia questo prodotto?


Con una dissipazione di potenza massima di 2,5W, bilancia le prestazioni termiche, riducendo il rischio di surriscaldamento.

Può gestire diversi valori di tensione?


Sì, può sopportare una tensione massima di drain-source di 30 V, il che lo rende versatile per varie applicazioni.

Qual è la tensione massima di soglia del gate?


La tensione massima di soglia del gate è di 2,35 V, per garantire la compatibilità con una vasta gamma di circuiti di pilotaggio.

Come influisce la bassa Rds(on) sulle sue prestazioni?


La bassa resistenza di drain-source minimizza le perdite di conduzione, migliorando l'efficienza e riducendo la generazione di calore durante il funzionamento.

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