2 MOSFET Vishay Tipo isolato, canale Tipo N, 17.5 mΩ, 8 A 30 V, SOIC, Superficie Miglioramento, 8 Pin SQ4920EY-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9462
Codice costruttore:
SQ4920EY-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SOIC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

4.4W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

0.75V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET doppio a canale N, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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