MOSFET DiodesZetex, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-8336
Codice costruttore:: DMN3053L-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 165-8336
Codice costruttore:: DMN3053L-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN3053L, N-Channel Enhancement Mode MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	55 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	1,2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	17,2 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3mm
Altezza	1mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 55 mΩ, 4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

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