2 MOSFET DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 65 mΩ, 9.6 A 35 V, TO-252, Superficie Miglioramento, 3 Pin

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

735,00 €

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897,50 €

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Codice RS:
165-8875
Codice costruttore:
DMG4511SK4-13
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

9.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

35V

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

8.9W

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.8nC

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Standard/Approvazioni

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101

Lunghezza

6.7mm

Altezza

2.39mm

Larghezza

6.2 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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