MOSFET Infineon, canale N, 2,8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 166-0985
Codice costruttore:: IPP023N10N5AKSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2,8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

4,64 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 +	4,64 €	232,00 €

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Codice RS:: 166-0985
Codice costruttore:: IPP023N10N5AKSA1
Costruttore:: Infineon

IPP023N10N5 OptiMOS-5 Power-Transistor, 100 V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TO-220
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.8V
Tensione di soglia gate minima	2.2V
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	168 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.57mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.36mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	15.95mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Infineon, canale N, 2,8 mΩ, 120 A, TO-220, Su foro

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5

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