MOSFET onsemi, canale N, 35 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-1805
Codice costruttore:: FDN339AN
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 35 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,14 €

(IVA esclusa)

0,17 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,14 €	420,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-1805
Codice costruttore:: FDN339AN
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	20 V
Serie	PowerTrench
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	35 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	500 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.92mm
Carica gate tipica @ Vgs	7 nC a 4,5 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.94mm

MOSFET onsemi, canale N, 35 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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