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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	600mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Tipo di package	SC-89-6
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	700mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	12, -12V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Configurazione transistor	Tipo isolato
	Larghezza	1.2mm
	Lunghezza	1.6mm
	Altezza	0.5mm
	Numero elementi per chip	2

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 600mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Tipo di package SC-89-6
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 700mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12, -12V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Configurazione transistor Tipo isolato
	Larghezza 1.2mm
	Lunghezza 1.6mm
	Altezza 0.5mm
	Numero elementi per chip 2

MOSFET a doppio canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

I MOSFET ON PowerTrench® di Semis sono interruttori di potenza ottimizzati che offrono una maggiore efficienza del sistema e una maggiore densità di potenza. Combina una carica di gate ridotta, un piccolo recupero inverso e un diodo del corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC.

Le prestazioni del diodo a corpo morbido dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito snubber o di sostituire un MOSFET a tensione nominale più elevata.

Transistor MOSFET, ON Semi

I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.

2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, 700 mΩ, 600 mA 20 V, SC-89-6, Superficie Miglioramento, 6 Pin FDY3000NZ

MOSFET a doppio canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

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