MOSFET onsemi, canale N, 50 mΩ, 9,5 A, MicroFET 2 x 2, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-1819
Codice costruttore:: FDMA410NZ
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 50 mΩ, 9,5 A, MicroFET 2 x 2, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,339 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,339 €	1.017,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-1819
Codice costruttore:: FDMA410NZ
Costruttore:: onsemi

MOSFET N Channel 20V 6 Pin MicroFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9,5 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	MicroFET 2 x 2
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	50 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	900 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Larghezza	2mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	2mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	10 nC a 4,5 V
Altezza	0.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 50 mΩ, 9,5 A, MicroFET 2 x 2, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

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