MOSFET onsemi, canale Tipo N 20 V, 50 mΩ Miglioramento, 9.5 A, 6 Pin, MLP, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
166-1819
Codice costruttore:
FDMA410NZ
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

MLP

Serie

PowerTrench

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Dissipazione di potenza massima Pd

900mW

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.75mm

Lunghezza

2mm

Larghezza

2 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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