Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 11 mΩ Miglioramento, 22 A, 8 Pin, MLP, Superficie

Codice RS:: 864-4967
Codice costruttore:: FDMC86520L
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 11 mΩ Miglioramento, 22 A, 8 Pin, MLP, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

3144,00 €

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3000 +	1,048 €	3.144,00 €

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Codice RS:: 864-4967
Codice costruttore:: FDMC86520L
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	22A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	MLP
	Serie	PowerTrench
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	11mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	40W
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	45nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	0.75mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	3.3mm
	Lunghezza	3.3mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 22A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package MLP
	Serie PowerTrench
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 40W
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 45nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 0.75mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 3.3mm
	Lunghezza 3.3mm
	Standard automobilistico No

MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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