MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 12 mΩ Miglioramento, 10.6 A, 8 Pin, MLP, Superficie

Codice RS:: 124-1701
Codice costruttore:: FDMS5672
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 12 mΩ Miglioramento, 10.6 A, 8 Pin, MLP, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

5496,00 €

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Codice RS:: 124-1701
Codice costruttore:: FDMS5672
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	10.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Serie	UltraFET
	Tipo di package	MLP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	12mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	32nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	5mm
	Altezza	0.75mm
	Larghezza	6mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 10.6A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Serie UltraFET
	Tipo di package MLP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 5mm
	Altezza 0.75mm
	Larghezza 6mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor

I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa.

Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 12 mΩ Miglioramento, 10.6 A, 8 Pin, MLP, Superficie

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

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