MOSFET onsemi, canale N, 212 mΩ, 16 A, Power 33, Montaggio superficiale

Codice RS:: 759-9516
Codice costruttore:: FDMC3612
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 212 mΩ, 16 A, Power 33, Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 759-9516
Codice costruttore:: FDMC3612
Costruttore:: onsemi

FDMC3612, Power Trench 100V N-Channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	16 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	Power 33
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	212 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	35 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.3mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	14,4 nC a 10 V
Larghezza	3.3mm
Altezza	0.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 212 mΩ, 16 A, Power 33, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

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