MOSFET onsemi, canale Tipo P 50 V, 10 Ω Miglioramento, 130 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Codice RS:: 166-2408
Codice costruttore:: BSS84
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo P 50 V, 10 Ω Miglioramento, 130 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Unità	Per unità	Per bobina*
3000 - 3000	0,131 €	393,00 €
6000 - 12000	0,128 €	384,00 €
15000 +	0,124 €	372,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 166-2408
Codice costruttore:: BSS84
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	130mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	50V
	Serie	BSS84
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	10Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	250mW
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	0.9nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	1.3 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1mm
	Lunghezza	3mm
	Standard automobilistico	AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 130mA
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 50V
	Serie BSS84
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -65°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 250mW
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.9nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 1.3 mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1mm
	Lunghezza 3mm
	Standard automobilistico AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce.

Caratteristiche e vantaggi:

• Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata

• Progettazione celle ad alta densità

• Corrente di saturazione elevata

• Commutazione superiore

• Prestazioni robuste e affidabili

• Tecnologia DMOS

Applicazioni:

• Commutazione del carico

• Convertitore DC/DC

• Protezione della batteria

• Controllo della gestione dell'alimentazione

• Comando motore DC

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.