MOSFET DiodesZetex, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 922-8131
Codice costruttore:: BSS84-7-F
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per bobina**
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**prezzo indicativo

Codice RS:: 922-8131
Codice costruttore:: BSS84-7-F
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	130 mA
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	10 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	300 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3mm
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale P, 10 Ω, 130 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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