MOSFET onsemi, canale N 250 V, 225 mΩ Miglioramento, 3 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
166-2645
Codice costruttore:
FDS2734
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

SOIC

Serie

UltraFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

225mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.5mm

Larghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa.

Applicazioni in convertitori c.c./c.c. ad alta frequenza, regolatori switching, azionamenti per motori, switch bus a bassa tensione e gestione dell'alimentazione.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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