MOSFET IXYS, canale N, 125 mΩ, 50 A, TO-3P, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 125 mΩ, 50 A, TO-3P, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 168-4740
Price: 7.06 EUR
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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)

5,788 €

(IVA esclusa)

7,061 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per stecca*
30 +	5,788 €	173,64 €

*prezzo indicativo

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	50 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	TO-3P
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	125 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	960 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	4.9mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	15.8mm
Carica gate tipica @ Vgs	85 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	20.3mm

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