MOSFET Infineon, canale N, 650 mΩ, 9 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-5925
Codice costruttore:: IPN50R650CEATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 650 mΩ, 9 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,266 €

(IVA esclusa)

0,325 €

(IVA inclusa)

4450 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per bobina**
3000 - 3000	0,266 €	798,00 €
6000 +	0,252 €	756,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-5925
Codice costruttore:: IPN50R650CEATMA1
Costruttore:: Infineon

IPN50R650CE, MOSFET 500V CoolMOS CE Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9 A
Tensione massima drain source	550 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	CoolMOS™ CE
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	650 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	5 W
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	6.7mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 10 V
Altezza	1.7mm
Minima temperatura operativa	-40 °C
Tensione diretta del diodo	0.84V

MOSFET Infineon, canale N, 650 mΩ, 9 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza CE Infineon CoolMOS™

Link consigliati