MOSFET STMicroelectronics, canale N, 550 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 168-6100
Codice costruttore:: STP11NK40Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 550 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 168-6100
Codice costruttore:: STP11NK40Z
Costruttore:: STMicroelectronics

CIRCUIT LOGIQUE 74ABT373
STB11NK40Z Zener-Protected SuperMESH PowerMOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9 A
Tensione massima drain source	400 V
Tipo di package	TO-220
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	550 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.6mm
Carica gate tipica @ Vgs	32 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.4mm
Altezza	9.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 550 mΩ, 9 A, TO-220, Su foro

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MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics

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