MOSFET di potenza SuperMESH STMicroelectronics, canale N 600 V, 2 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
168-6689
Codice costruttore:
STB4NK60ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza SuperMESH

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

SuperMESH

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-30V, +30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC JESD97

Larghezza

9.35mm

Altezza

4.6mm

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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