MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2 Ω, 4 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-6689
Codice costruttore:: STB4NK60ZT4
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 2 Ω, 4 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)

0,775 €

(IVA esclusa)

0,945 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
1000 +	0,775 €	775,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 168-6689
Codice costruttore:: STB4NK60ZT4
Costruttore:: STMicroelectronics

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics

Transistor MOSFET, STMicroelectronics

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	4 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	70 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	18,8 nC a 10 V
Lunghezza	10.4mm
Materiale del transistor	Si
Larghezza	9.35mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	4.6mm