MOSFET di potenza SuperMESH STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 2 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
168-6689
Codice costruttore:
STB4NK60ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza SuperMESH

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SuperMESH

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

9.35 mm

Altezza

4.6mm

Standard/Approvazioni

JEDEC JESD97

Standard automobilistico

No

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistor MOSFET, STMicroelectronics


Link consigliati