MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 94 mΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante

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Codice RS:
233-3038
Codice costruttore:
STB37N60DM2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

28A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

STB37N60

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

94mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

210W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Altezza

4.6mm

Lunghezza

15.85mm

Larghezza

10.4 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM2. Offre una carica di recupero molto bassa (Qrr) e tempo (trr) combinati con bassa RDS(on), il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più impegnativi e ideale per topologie a ponte e convertitori a sfasamento ZVS.

Progettato per applicazioni automobilistiche e certificato AEC-Q101

Diodo corpo a recupero rapido

Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse

Bassa resistenza in stato attivo

Testato con effetto valanga al 100%

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

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