MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 94 mΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante STB37N60DM2AG
- Codice RS:
- 233-3039
- Codice costruttore:
- STB37N60DM2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Specifiche
Documentazione Tecnica
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Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 28A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | STB37N60 | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 94mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 210W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 54nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 10.4mm | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Lunghezza | 15.85mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 28A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie STB37N60 | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 94mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 210W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 54nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 10.4mm | ||
Altezza 4.6mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Lunghezza 15.85mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM2. Offre una carica di recupero molto bassa (Qrr) e tempo (trr) combinati con bassa RDS(on), il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più impegnativi e ideale per topologie a ponte e convertitori a sfasamento ZVS.
Progettato per applicazioni automobilistiche e certificato AEC-Q101
Diodo corpo a recupero rapido
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse
Bassa resistenza in stato attivo
Testato con effetto valanga al 100%
Robustezza dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener
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