MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0,094 Ω, 28 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 233-3039
- Codice costruttore:
- STB37N60DM2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità
5,93 €
(IVA esclusa)
7,23 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 4 | 5,93 € |
| 5 - 9 | 5,64 € |
| 10 - 24 | 5,08 € |
| 25 - 49 | 4,57 € |
| 50 + | 4,33 € |
- Codice RS:
- 233-3039
- Codice costruttore:
- STB37N60DM2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM2. Offre una carica di recupero molto bassa (Qrr) e tempo (trr) combinati con bassa RDS(on), il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più impegnativi e ideale per topologie a ponte e convertitori a sfasamento ZVS.
Progettato per applicazioni automobilistiche e certificato AEC-Q101
Diodo corpo a recupero rapido
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse
Bassa resistenza in stato attivo
Testato con effetto valanga al 100%
Robustezza dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener
Diodo corpo a recupero rapido
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse
Bassa resistenza in stato attivo
Testato con effetto valanga al 100%
Robustezza dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 28 A |
| Tensione massima drain source | 600 V |
| Serie | STB37N60 |
| Tipo di package | D2PAK (TO-263) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 0,094 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 4.9V |
| Materiale del transistor | SiC |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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