MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 99 mΩ Miglioramento, 30 A, 2 Pin, TO-263, Superficie STB45N60DM6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-851
Codice costruttore:
STB45N60DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-263

Serie

STB

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

99mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

210W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

15.85mm

Altezza

4.6mm

Larghezza

10.4 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione della STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla generazione rapida MDmesh precedente, il DM6 combina carica di recupero molto bassa (Qrr), tempo di recupero (trr) e eccellente miglioramento di RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte più impegnative ad alta efficienza e i convertitori a spostamento di fase ZVS.

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

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