MOSFET STMicroelectronics, canale N, 6 Ω, 2,5 A, TO-220FP, Su foro

Codice RS:: 168-7577
Codice costruttore:: STF3NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 6 Ω, 2,5 A, TO-220FP, Su foro

2000 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)

0,673 €

(IVA esclusa)

0,821 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per stecca*
50 +	0,673 €	33,65 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 168-7577
Codice costruttore:: STF3NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel 1000 V, 5.4 Ohm, 2.5 A, DPAK Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Codice RS:: 168-7577
Codice costruttore:: STF3NK100Z
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel 1000 V, 5.4 Ohm, 2.5 A, DPAK Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,5 A
Tensione massima drain source	1000 V
Tipo di package	TO-220FP
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	10.4mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.6mm
Carica gate tipica @ Vgs	18 nC a 10 V
Altezza	16.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,5 A
Tensione massima drain source	1000 V
Tipo di package	TO-220FP
Serie	MDmesh, SuperMESH
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4.5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	10.4mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.6mm
Carica gate tipica @ Vgs	18 nC a 10 V
Altezza	16.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 6 Ω, 2,5 A, TO-220FP, Su foro

MDmesh™ a canale N SuperMESH™, da 700V a 1200V, STMicroelectronics

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