MOSFET STMicroelectronics, canale N, 800 mΩ, 1 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

1 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

SOT-223

Serie

STripFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3 + Tab

Resistenza massima drain source

800 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

3.7mm

Carica gate tipica @ Vgs

4 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

6.7mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.6mm