MOSFET Toshiba, canale N, 10,4 mΩ, 60 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:
168-7778
Codice costruttore:
TK40E06N1
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

60 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

TO-220

Serie

TK

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

10,4 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

4V

Dissipazione di potenza massima

67 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

23 nC a 10 V

Lunghezza

10.16mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

4.45mm

Altezza

15.1mm

Paese di origine:
JP


Transistor MOSFET, Toshiba

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