MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

20 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

TO-220

Serie

TK

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

155 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3.7V

Dissipazione di potenza massima

165 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Larghezza

4.45mm

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

48 nC a 10 V

Lunghezza

10.16mm

Altezza

15.1mm