MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 168-7963
Codice costruttore:: TK20E60W,S1VX(S
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 168-7963
Codice costruttore:: TK20E60W,S1VX(S
Costruttore:: Toshiba

TK20E60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	20 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	TK
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	155 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Dissipazione di potenza massima	165 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.45mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	48 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.16mm
Altezza	15.1mm

MOSFET Toshiba, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

MOSFET a canale N, serie TK2x, Toshiba

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